近日,安泰科技獲得科技部“十四五”國家重點研發(fā)計劃“高端功能與智能材料”支持,成功申請2022年度科技部重點專項——面向第三代半導體應用的高頻軟磁材料(共性關(guān)鍵技術(shù))項目,標志著安泰科技超薄納米晶材料正式進軍第三代半導體行業(yè)。
以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體的發(fā)展已列入“十四五”規(guī)劃成為國家戰(zhàn)略,第三代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性,可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領域具有重要的應用價值,目前市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等更是它的重要應用領域。
第三代半導體的應用加速了電力電子裝備朝著高頻化、小型化、高效化方向發(fā)展,對與之配套的軟磁材料高頻性能提出了更高要求,高頻阻抗特性、高頻低損耗特性、超薄帶材(<14μm),傳統(tǒng)的納米晶帶材及其元器件的性能指標還難于滿足上述要求,從而嚴重影響第三代半導體器件的發(fā)展與應用,為此,亟需開發(fā)出新一代高頻低損耗納米晶帶材及其元器件。安泰科技深耕非晶納米晶行業(yè)四十余年,前期已經(jīng)承擔完成了特種軟磁合金領域多項國家重點專項,形成了深厚的技術(shù)積淀與豐富的科研成果。作為國內(nèi)*早從事納米晶軟磁材料開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),開發(fā)出一系列納米晶產(chǎn)品(Antainano),“納米晶軟磁合金及制品應用開發(fā)”榮獲2008年國家科學技術(shù)進步二等獎,是全球產(chǎn)業(yè)化規(guī)模*大的國際三大非晶、納米晶材料制造企業(yè)之一。面對超薄納米晶帶材市場的巨大需求與挑戰(zhàn),在具有自主知識產(chǎn)權(quán)的萬噸級非晶帶材連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)基礎上,開發(fā)出寬幅超薄納米晶帶材連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù),解決了納米晶帶材寬度和厚度受限的難題,提高了單爐產(chǎn)量和帶材厚度一致性,帶寬可達120mm以上、帶厚可達14μm,填補了國內(nèi)*,為發(fā)展大功率高頻變壓器、促進靈活交流輸電和電網(wǎng)智能化奠定了基礎,榮獲2021年冶金科學技術(shù)特等獎。
重任在肩、當仁不讓。安泰科技將以實施國家重點專項為契機,更加奮發(fā)有為、不斷創(chuàng)新突破,進一步發(fā)揮和鞏固在非晶納米晶領域的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,加快突破第三代半導體器件用高頻軟磁材料的技術(shù)瓶頸,加速推進高頻高性能納米晶軟磁材料在SiC/GaN第三代半導體電源模塊中的關(guān)鍵技術(shù)集成,以及在信息通訊、新能源汽車、5G終端等領域的示范應用,提升安泰科技在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的配套能力。